В работе были изучены электрические свойства перспективных материалов для со-временной электроники: керамик Nb2O5 и HfO2, выращенных в Индийском институте технологий (IIT Madras) в широком частотном (1Гц-10 МГц) и температурном (300-670К) диапазонах. Установлено влияние условий эксперимента и термической истории на ке-рамику оксида ниобия и отсутствие данного влияния на керамику оксида гафния. Выяв-лен термоактивационный характер проводимости с Еа=660мэВ, обусловленный кисло-родными вакансиями. Обнаружены два релаксационных процесса для Nb2O5 и три про-цесса для HfO2, ответственные за диэлектрические отклики данных материалов. В Nb2O5 низкочастотный процесс, связанный с неоднородной проводимостью керамики, вносит определяющий вклад в отклик, а высокочастотный имеет термоактивационный характер (с τ0~10-13с и энергией активации 870мэВ). В HfO2 выделен высокочастотный процесс, вносящий основной вклад в отклик, при низких температурах (до 450К) и имеющий тер-моактивационный характер (с τ0~10-13с и Еа=1,16эВ).

In the work, the electrical properties of promising materials for modern electronics: Nb2O5 and HfO2 ceramics, grown at the Indian Institute of Technology (IIT Madras), were searched in the wide frequency range (1 Hz-10 MHz) and temperature (300-670 K). The influ-ence of experimental conditions and thermal history on ceramics of niobium oxide and the ab-sence of this effect on ceramics of hafnium oxide are established. Two relaxation processes for and three processes for responsible for the dielectric responses of these materials were discov-ered. In Nb2O5, the low-frequency process (with characteristic times of 0.45 s) associated with the inhomogeneous conductivity of ceramics makes a decisive contribution to the response, and the high-frequency one has a thermo-activation character (with τ0 ~ 10-13 s and an activation energy of 870 meV). In HfO2, a high-frequency process contributing to the response at low temperatures (Т< 450K) and having a thermo-activation character (with τ0 ~ 10-13s and Ea = 1.16 eV) is highlighted, the nature of the other two processes (low-frequency, contributing at high temperatures, and weak high-frequency with τ0 ~ 10-21s) has not yet been clarified.