Произведено численное моделирование нитридного лазера на двойной гетероструктуре с учетом пьезоэлектрических полей, определяющих вид зонной диаграммы. Проведено исследование зависимости величины интеграла перекрытия от приложенного напряжения и ширины квантовой ямы. Произведен фиттинг кривых с использованием явных квадратичных приближений параболической части оптического усиления, на его основе получено аналитическое выражение для спектра усиления. Результаты работы были апробированы на экспериментальных данных.

A numerical simulation of a nitride laser on a double heterostructure is performed taking into account piezoelectric fields that determine the type of the band diagram. The dependence of the overlap integral on the applied voltage and the width of the quantum well is studied. Produced fitting curves using an explicit quadratic approximation of the parabolic part of the optical gain on the basis of the obtained analytical expression for the spectrum of gain. The results were tested on experimental data.