С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Влияние стимулированного излучения ближнего инфракрасного диапазона на спектр терагерцовой фотолюминесценции в квантовых ямах n-GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: 11.04.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.04.04_01 - Микроэлектроника и наноэлектроника
Авторы: Ефремов Илья Дмитриевич
Научный руководитель: Фирсов Дмитрий Анатольевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Фотолюминесценция; Генераторы квантовые; терагерцовый диапазон; ближний инфракрасный диапазон; излучательные переходы
УДК: 628.9.037(043.3); 621.373.826(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.04.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-2735
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Исследована фотолюминесценция легированной донорной примесью лазерной наноструктуры с квантовыми ямами n-GaAs/AlGaAs в терагерцовом и ближнем инфракрасной диапазонах. Обнаружены излучательные переходы электронов через возбужденные и основные уровни донора в спектральных зависимостях терагерцовой и ближней инфракрасной фотолюминесценции. Исследовано стимулированное излучение с участием примесных центров, обнаружено его влияние на интенсивность терагерцового излучения. Зафиксирована трансформация спектров терагерцового излучения в зависимости от того, через какое донорное состояние преобладает стимулированное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне.

The photoluminescence of a donor-doped laser nanostructure n GaAs/AlGaAs with quantum wells in the terahertz and near infrared ranges is investigated. Radiative transitions of electrons through the excited and ground levels of the donor were found in the spectral dependences of terahertz and near infrared photoluminescence. The stimulated radiation with the participation of impurity centers was investigated, its effect on the intensity of terahertz radiation was found. Transformation of terahertz radiation spectra was recorded depending on which the donor state through stimulated radiation in the near infrared range prevails.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования документа

stat Количество обращений: 65
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика