Исследовано влияние обработки поверхности двойной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с помощью прямой ионной литографии на интенсивность сигнала микрофотолюминесценции в потенциальной яме GaAs. В ходе серии экспериментов с использованием метода микрофотолюминесценции показано, что радиационные повреждения, образовавшиеся в результате прямого ионно-лучевого травления, приводят к сильному падению сигнала микрофотолюминесценции структуры. После термического отжига при Т = 620С наблюдалось почти полное (до 90%) восстановление интенсивности сигнала микрофотолюминесценции с поверхностей, подвергшихся травлению. Полученные результаты свидетельствуют о применимости прямой ионно-лучевой литографии для изготовления активных устройств интегральной фотоники на базе данной группы материалов.

The photoluminescent properties of focused ion beam-treated GaAs/AlGaAs double heterostructure were studied using a micro-photoluminescence spectroscopy technique. It was shown that radiation damage induced by FIB lithography leads to the loss of micro-photoluminescence intensity of the structure. Subsequent 620С thermal annealing of the structure leads up to 90% to the recovery of the internal quantum efficiency. Achieved results prove focused ion beam technique to be potent for the fabrication of photonic structures based on A3B5 materials containing active layer.