В данной работе проведено исследование влияния введения освещения в реакцию электрохимического травления на формирование пористого слоя в полупроводниках группы AIIIBV. Для этого проводился анализ влияния света на основные характеристики реакции порообразования и получаемых пористых слоев, такие как: • Изменение контактной разности потенциалов на границе раздела сред полупроводник/электролит в зависимости от потока внешнего освещения. • Морфология и линейные размеры, и поверхностная плотность пор, полученных в реакции порообразования с освещением и без него. • Изменение напряжения начала реакции порообразования в случае протекания реакции электрохимического травления с освещением. Сделаны выводы о характерных явлениях, происходящих при освещении поверхности активного полупроводникового анода в реакции электрохимического травления полупроводников AIIIBV: • Сдвиг электрохимического равновесия при внешнем освещении полупроводникового анода в сторону увеличения потенциала разомкнутой цепи. • Уменьшение величины напряжения начала поробразования при освещении, как следствие сдвига электрохимического равновесия. Также были проанализированы особенности протекания реакции электрохимического травления для подложек разных полупроводников AIIIBV.

In this paper, we studied the effect of introducing illumination into the electrochemical etching reaction on the formation of a porous layer in III – V semiconductors. For this purpose, an analysis of the effect of light on the main characteristics of the pore formation reaction and the resulting porous layers was carried out. Conclusions are made about the characteristic phenomena that occur when the surface of an active semiconductor anode is illuminated in the reaction of electrochemical etching of III – V semiconductors.