В данной работе проведены исследования доноров азота в широкозонном полупроводнике SiC. Записаны ЭПР спектры образцов SiC на спектрометрах 9.4 ГГц и 94 ГГц. Полученные g-факторы и константы сверхтонкой структуры согласуются с теоретическими данными. Было проведено сравнение спектров, записанных на частоте 9.4 ГГц и 94 ГГц, что показало большее разрешение по g-фактору при большей частоте. В результате проведённых исследований было подтверждено одно из основных преимуществ ЭПР метода в однозначном определении вида примеси и её положения в кристалле.

In this work, we studied nitrogen donors in a wide-gap semiconductor SiC. The EPR spectra of SiC samples were recorded on X-range and W-range spectrometers. Obtained g-factors and the hyperfine structure constants are consistent with theoretical data. A comparison was made of the spectra recorded on X-range and W-range, which showed a large x-factor resolution at a higher frequency. As a result of the research, it was confirmed one of the main advantages of the EPR method in unambiguously determining the type of impurity and its position in the crystal.