Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В данной работе проведены исследования доноров азота в широкозонном полупроводнике SiC. Записаны ЭПР спектры образцов SiC на спектрометрах 9.4 ГГц и 94 ГГц. Полученные g-факторы и константы сверхтонкой структуры согласуются с теоретическими данными. Было проведено сравнение спектров, записанных на частоте 9.4 ГГц и 94 ГГц, что показало большее разрешение по g-фактору при большей частоте. В результате проведённых исследований было подтверждено одно из основных преимуществ ЭПР метода в однозначном определении вида примеси и её положения в кристалле.
In this work, we studied nitrogen donors in a wide-gap semiconductor SiC. The EPR spectra of SiC samples were recorded on X-range and W-range spectrometers. Obtained g-factors and the hyperfine structure constants are consistent with theoretical data. A comparison was made of the spectra recorded on X-range and W-range, which showed a large x-factor resolution at a higher frequency. As a result of the research, it was confirmed one of the main advantages of the EPR method in unambiguously determining the type of impurity and its position in the crystal.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 58
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |