С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Детальная информация

Название: Исследование доноров азота в кристаллах карбида кремния методом высокочастотного электронного парамагнитного резонанса: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Авторы: Криворучко Артём Дмитриевич
Научный руководитель: Фирсов Дмитрий Анатольевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт промышленного менеджмента, экономики и торговли
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: электронный парамагнитный резонанс; X-диапазон; W-диапазон; широкозонный полупроводник; карбид кремния; electronic paramagnetic resonance; X-band; W-band; wide band semiconductor; silicon carbide
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3562
Права доступа: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе проведены исследования доноров азота в широкозонном полупроводнике SiC. Записаны ЭПР спектры образцов SiC на спектрометрах 9.4 ГГц и 94 ГГц. Полученные g-факторы и константы сверхтонкой структуры согласуются с теоретическими данными. Было проведено сравнение спектров, записанных на частоте 9.4 ГГц и 94 ГГц, что показало большее разрешение по g-фактору при большей частоте. В результате проведённых исследований было подтверждено одно из основных преимуществ ЭПР метода в однозначном определении вида примеси и её положения в кристалле.

In this work, we studied nitrogen donors in a wide-gap semiconductor SiC. The EPR spectra of SiC samples were recorded on X-range and W-range spectrometers. Obtained g-factors and the hyperfine structure constants are consistent with theoretical data. A comparison was made of the spectra recorded on X-range and W-range, which showed a large x-factor resolution at a higher frequency. As a result of the research, it was confirmed one of the main advantages of the EPR method in unambiguously determining the type of impurity and its position in the crystal.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 54
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика