?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Исследование свойств плазмы ВЧЕ разряда при селективном травлении нитрида и оксида кремния: выпускная квалификационная работа магистра: 03.04.02 - Физика ; 03.04.02_05 - Физика плазмы
Creators: Панкратьев Павел Александрович
Scientific adviser: Смирнов Александр Сергеевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Газовый разряд высокочастотный; Травление металлов; Плазма (физ.); Спектроскопия; Численные методы; высокочастотный емкостной разряд; плазменное травление; оптическая спектроскопия
UDC: 537.52; 621.794.4:533.932; 535.33
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Master
Speciality code (FGOS): 03.04.02
Speciality group (FGOS): 030000 - Физика и астрономия
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-3845
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\2168

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена экспериментальному и численному исследованию высокочастотного емкостного (ВЧЕ) разряда, предназначенного для травления тонких пленок нитрида кремния и оксида кремния. Основной целью данной работы является исследование влияния гелия в газоразрядной плазме в смеси Не/SF6/H2 на степень диссоциации SF6 и H2, скорости травления нитрида и оксида кремния. Анализ оптических спектров и результаты численного моделирования плазмы свидетельствуют о существенном влиянии гелия на диссоциацию водорода, что в свою очередь сказывается на скорости травления нитрида кремния.

A present work is aimed at experimental and numerical study of capacitively coupled radio frequency (RF) discharge properties for silicon nitride and silicon dioxide thin films etching. The main goal of this work is study of the effect of helium addition to the Не/SF6/H2 mixture on the SF6 and H2 dissociation degree, nitride and silicon dioxide etching rates. Analysis of optical emission spectra and numerical plasma simulation results demonstrate that helium addition significantly affects hydrogen dissociation rate, and thus silicon nitride etching rate.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • Введение
  • Обзор литературы
    • Селективное травление
    • Плазменное травление нитрида кремния
    • Методы диагностики плазмы
      • Оптическая спектрометрия
      • Актинометрия
    • Моделирование плазмы.
      • Гидродинамическое приближение
    • Выводы из обзора литературы и постановка задачи
  • Описание установки
    • Описание разрядной камеры.
    • Измерение спектра излучения плазмы.
    • Диагностика скорости травления.
  • Результаты измерений
  • Моделирование и его результаты
  • Заключение
  • Список литературы

Usage statistics

stat Access count: 34
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics