?

Details
Table Card RUSMARC
Title: Сверхширокополосный усилитель мощности сантиметрового диапазона волн на GaN-транзисторах: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.01 «Радиотехника» ; образовательная программа 11.03.01_01 «Космические и наземные радиотехнические системы»
Creators: Новопашин Егор Игоревич
Scientific adviser: Никитин Александр Борисович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: усилитель мощности; коэффициент усиления; микрополосковые линии; нагрузочные кривые; power amplifier; gain; microstrip lines; load lines
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 11.03.01
Speciality group (FGOS): 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-4016
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\9326

Allowed Actions: –

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

В данной работе рассматривается разработка сверхширокополосного усилителя мощности на основе GaN транзисторов, работающего на полосе частот от 6 ГГц до 18 ГГц с выходной мощностью 10 Вт. На основе исследования нагрузочных характеристик транзистора осуществляется построение входных и выходных согласующих цепей усилителя мощности в микрополосковом исполнении. Проводится сравнительный анализ различных вариантов схем УМ.

This graduate qualification work examines the development of allpass amplifier based on GaN transistors. GaN transistors operate in the frequency range from 6 GHz to 18 GHz with an output power of 10W. Based on the study of the load characteristics of the transistor, the input and output matching circuits of the power amplifier are constructed in a microstrip design. The comparative analysis of different variants of PA schemes is carried out.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Table of Contents

  • ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА БАКАЛАВРА СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ САНТИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА ВОЛН НА GaN-ТРАНЗИСТОРАХ
  • РЕФЕРАТ
  • THE ABSTRACT
  • СОДЕРЖАНИЕ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА 1. УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ СВЧ
  • 1.2. Основные параметры GaN-транзисторов
  • 1.3. Схемы широкополосных усилителей мощности сантиметрового диапазона
  • 1.4. Цель и задачи работы
  • ГЛАВА 2. НАГРУЗОЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ GаN-
  • 2.1. Модель транзистора
  • 2.2. Методика моделирования нагрузочных характеристик транзистора
  • ГЛАВА 3. ВХОДНЫЕ И ВЫХОДНЫЕ ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ НА СОСРЕДОТОЧЕННЫХ ЭЛЕМЕНТАХ
  • 3.1. Входная согласующая цепь
  • 3.2. Выходная согласующая цепь
  • ГЛАВА 4. ВХОДНЫЕ И ВЫХОДНЫЕ ЦЕПИ СОГЛАСОВАНИЯ УМ НА МИКРОПОЛОСКОВЫХ ЛИНИЯХ
  • 4.1. Входная согласующая цепь на микрополосковых линиях
  • 4.2. Однокаскадный модуль усилителя мощности
  • 4.3. Двухкаскадная схема усилителя мощности на микрополосковых линиях
  • ГЛАВА 5. РАЗРАБОТКА МИКРОПОЛОСКОВОЙ СХЕМЫ УМ
  • 5.1. Выбор структуры усилителя мощности
  • 5.2. Схема на основе сумматоров квадратурного типа
  • 5.3. Схема на основе синфазных сумматоров
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Usage statistics

stat Access count: 7
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics