В данной работе затронута проблема, касающаяся использования в современной индустрии таких материалов, как сапфир, кремний, алмаз, нитрид галлия. Это твердотельные полупроводниковые приборы, свч приборы, элементы оптики, микро и оптоэлектроники. В данной работе рассматривался процесс прорезания канавок для отведения газов при отделении пленки GaN. Также в работе проводились эксперименты над пленками выращенными методом HVPE и MOCVD. В производстве подобных приборов резка является одной из ключевых операций. Проведенные обзор и анализ, показывают, что внедрение технологий лазерной обработки(резки) в ряд производственных процессов для изготовления электронных изделий на базе полупроводниковых пластин позволяет резко повысить производительность и увеличить выход годной продукции.

This paper touches upon the problem of the use of such materials as sapphire, silicon, diamond, gallium nitride in the modern industry. These are solid-state semiconductor devices, microwave devices, optical elements, micro and optoelectronics. In this paper, the process of cutting the grooves for the discharge of gases during the separation of the GaN film was considered. Also, experiments with films grown by the HVPE method and MOCVD were carried out. Cutting is one of the key operations in the production of such devices. The review and analysis carried out show that the introduction of laser processing (cutting) technologies into a number of industrial processes for the manufacture of electronic products based on semiconductor wafers makes it possible to dramatically increase productivity and increase the yield of usable products.

• ВВЕДЕНИЕ
• Глава 1 . СОВРЕМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ И ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ РЕЗКИ КРИСТАЛЛОВ,ИХ ПРЕИМУЩЕСТВА И НЕДОСТАТКИ.
• 1.1. Теоретические основы лазерной резки нитрида галлия и преимущества перед традиционными механическими методами резки
• 2.5. Цели и задачи