Детальная информация

Название: Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена в висмутовых высокотемпературных сверхпроводниках в области слабого легирования: выпускная квалификационная работа магистра: 16.04.01 - Техническая физика ; 16.04.01_01 - Физика и техника полупроводников
Авторы: Пидгайко Александр Анатольевич
Научный руководитель: Гасумянц Виталий Эдуардович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Сверхпроводники; коэффициент Нернста-Эттингсгаузена; высокотемпературная сверхпроводимость; висмутовые сверхпроводники; подвижность носителей заряда
УДК: 538.945(043.3)
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5267
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\1477

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Работа на соискание степени магистра посвящена изучению температурной зависимости эффекта Нернста-Эттингсгаузена в слаболегированных образцах висмутовых ВТСП системы Bi-2212. Первая глава данной работы представляет из себя краткий обзор литературы, содержащий необходимую для проведения работы информацию о высокотемпературных сверхпроводниках, сверхпроводниках на висмутовой основе, эффекте Нернста-Эттингсгаузена. Приведены примеры температурных зависимостей эффекта для некоторых ВТСП. Приведены основные положения используемой в работе модели узкопроводящей зоны. Вторая глава содержит подробное описание процесса подготовки образцов для измерений, экспериментальных установок, ячейки для измерений. Приведена методика обработки полученных данных. Третья глава содержит необходимые для анализа полученных данных информацию о параметрах зонного спектра образцов, приведены полученные экспериментальные данные для всех исследованных образцов. Приведены результаты анализа экспериментальных зависимостей в рамках использованной модели.

The work for the master's degree is devoted to the study of the temperature dependence of the Nernst-Ettingshausen effect in lightly doped samples of bismuth HTSCs in the Bi-2212 system. The first chapter of this work is a brief review of the literature containing information necessary for carrying out the work about high-temperature superconductors, bismuth-based superconductors, the Nernst-Ettingshausen effect. Examples of temperature de-pendences of the effect for some HTSC are given. The main provisions of the model of the narrowly conducting zone used in the work are given. The second chapter contains a detailed description of the process of preparing samples for measurements, experimental facilities, cells for measurements. The method of pro-cessing the data is given. The third chapter contains the information necessary for the analysis of the obtained data on the parameters of the band spectrum of the samples, and the experimental data obtained for all the studied samples. The results of the analysis of experimental de-pendencies in the framework of the used model are given.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 60
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика