С 17 марта 2020 г. для ресурсов (учебные, научные, материалы конференций, статьи из периодических изданий, авторефераты диссертаций, диссертации) ЭБ СПбПУ, обеспечивающих образовательный процесс, установлен особый режим использования. Обращаем внимание, что ВКР/НД не относятся к этой категории.

Details

Title: Коэффициент Нернста-Эттингсгаузена в висмутовых высокотемпературных сверхпроводниках в области слабого легирования: выпускная квалификационная работа магистра: 16.04.01 - Техническая физика ; 16.04.01_01 - Физика и техника полупроводников
Creators: Пидгайко Александр Анатольевич
Scientific adviser: Гасумянц Виталий Эдуардович
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2019
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Сверхпроводники; коэффициент Нернста-Эттингсгаузена; высокотемпературная сверхпроводимость; висмутовые сверхпроводники; подвижность носителей заряда
UDC: 538.945(043.3)
Document type: Master graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.04.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5267
Rights: Свободный доступ из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Работа на соискание степени магистра посвящена изучению температурной зависимости эффекта Нернста-Эттингсгаузена в слаболегированных образцах висмутовых ВТСП системы Bi-2212. Первая глава данной работы представляет из себя краткий обзор литературы, содержащий необходимую для проведения работы информацию о высокотемпературных сверхпроводниках, сверхпроводниках на висмутовой основе, эффекте Нернста-Эттингсгаузена. Приведены примеры температурных зависимостей эффекта для некоторых ВТСП. Приведены основные положения используемой в работе модели узкопроводящей зоны. Вторая глава содержит подробное описание процесса подготовки образцов для измерений, экспериментальных установок, ячейки для измерений. Приведена методика обработки полученных данных. Третья глава содержит необходимые для анализа полученных данных информацию о параметрах зонного спектра образцов, приведены полученные экспериментальные данные для всех исследованных образцов. Приведены результаты анализа экспериментальных зависимостей в рамках использованной модели.

The work for the master's degree is devoted to the study of the temperature dependence of the Nernst-Ettingshausen effect in lightly doped samples of bismuth HTSCs in the Bi-2212 system. The first chapter of this work is a brief review of the literature containing information necessary for carrying out the work about high-temperature superconductors, bismuth-based superconductors, the Nernst-Ettingshausen effect. Examples of temperature de-pendences of the effect for some HTSC are given. The main provisions of the model of the narrowly conducting zone used in the work are given. The second chapter contains a detailed description of the process of preparing samples for measurements, experimental facilities, cells for measurements. The method of pro-cessing the data is given. The third chapter contains the information necessary for the analysis of the obtained data on the parameters of the band spectrum of the samples, and the experimental data obtained for all the studied samples. The results of the analysis of experimental de-pendencies in the framework of the used model are given.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 51
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics