Детальная информация
| Название | Разработка шестиразрядного аттенюатора на основе кремниевой КМОП-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника ; образовательная программа 11.03.04_03 Интегральная электроника и наноэлектроника |
|---|---|
| Авторы | Скрабченко Василий Васильевич |
| Научный руководитель | Румянцев Иван Александрович |
| Организация | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Выходные сведения | Санкт-Петербург, 2019 |
| Коллекция | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Тематика | активная фазированная антенная решетка ; приёмо-передающий модуль ; аттенюатор ; затухание ; transceiver module ; active phased array radar ; attenuator ; attenuation |
| Тип документа | Выпускная квалификационная работа бакалавра |
| Язык | Русский |
| Уровень высшего образования | Бакалавриат |
| Код специальности ФГОС | 11.03.04 |
| Группа специальностей ФГОС | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Ссылки | Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5563 |
| Права доступа | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование) |
| Ключ записи | ru\spstu\vkr\5244 |
| Дата создания записи | 17.01.2020 |
Разрешенные действия
–
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
| Группа | Анонимные пользователи |
|---|---|
| Сеть | Интернет |
Объектом исследования является шестиразрядный аттенюатор. Цель работы состоит в реализации шестиразрядного аттенюатора на основе кремниевой КМОП-технологии. В результате выполнения работы изучен принцип построения т- и п-образных аттенюаторов. Рассмотрены основные параметры аттенюаторов. Исследован и реализован шестиразрядный аттенюатор на основе кремниевой КМОП-технологии, проведено схемотехническое моделирование на транзисторном уровне.
This paper contains review of attenuators, 6-bit step attenuator, which is based on flint CMOS-technology, was researched and implemented, a circuit simulation was conducted on transistor level.
| Место доступа | Группа пользователей | Действие |
|---|---|---|
| Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все |
|
| Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ |
|
| Интернет | Анонимные пользователи |
|
Количество обращений: 37
За последние 30 дней: 0
