Детальная информация

Название: Разработка шестиразрядного аттенюатора на основе кремниевой КМОП-технологии: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 Электроника и наноэлектроника ; образовательная программа 11.03.04_03 Интегральная электроника и наноэлектроника
Авторы: Скрабченко Василий Васильевич
Научный руководитель: Румянцев Иван Александрович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: активная фазированная антенная решетка; приёмо-передающий модуль; аттенюатор; затухание; transceiver module; active phased array radar; attenuator; attenuation
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-5563
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Объектом исследования является шестиразрядный аттенюатор. Цель работы состоит в реализации шестиразрядного аттенюатора на основе кремниевой КМОП-технологии. В результате выполнения работы изучен принцип построения т- и п-образных аттенюаторов. Рассмотрены основные параметры аттенюаторов. Исследован и реализован шестиразрядный аттенюатор на основе кремниевой КМОП-технологии, проведено схемотехническое моделирование на транзисторном уровне.

This paper contains review of attenuators, 6-bit step attenuator, which is based on flint CMOS-technology, was researched and implemented, a circuit simulation was conducted on transistor level.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 29
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика