Длительность импульса с субнаносекундным фронтом нарастания, коммутируемого диодными лавинными обострителями, обычно составляет несколько наносекунд. Считается, что длительность импульса ограничена временем дрейфового рассасывания неравновесной электронно-дырочной плазмы (ЭДП) из базы диода. В работе показано, что при обострении длинных импульсов полного рассасывания ЭДП не происходит, а проводящее состояние поддерживается двойной лавинной инжекцией. Поэтому длительность импульса тока, протекающего через обостритель, ограничивается не дрейфовым рассасыванием плазмы, а изотермическим и тепловым шнурованием тока.

Pulse commutated by a silicon avalanche sharpener usually has a duration of about several nanoseconds. The conventional idea is that the factor limiting the pulse duration is sweeping of the electron-hole plasma out from the diode base. We show that when commutating a long pulse complete recovery of a silicon avalanche sharpener does not take place because conducting state is maintained by avalanche injection. It means that pulse duration is restricted by current filamentation.