Детальная информация

Название: Исследование электрических свойств тонких фуллереновых пленок методом импедансометрии: выпускная квалификационная работа бакалавра: 11.03.04 - Электроника и наноэлектроника ; 11.03.04_04 - Микроэлектроника и твердотельная электроника
Авторы: Мхитарян Артур Леванович
Научный руководитель: Захарова Ирина Борисовна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2019
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: фуллереновые пленки; импеданс; частотная зависимость; концентрация ловушек; подвижность носителей заряда; напряжение переключения; сопротивление; зонная диаграмма; fullerene films; impedance; frequency dependence; concentration of traps; mobility of charge carriers; switching tension; resistance; zonal chart
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-802
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Пленки на основе фулллерена С60 представляют большой научный интерес. В работе были исследованы ВАХ и частотные зависимости импеданса образцов С60 на подложках КДБ(p-тип) и КЭС(n-тип). Пленки С60 толщиной 150 нм и 200 нм, были получены методом вакуумного напыления в квазизамкнутом объеме на подложках Si. Были измерены вольтамперные характеристики образцов в диапазоне напряжений 0,03-4В, а также сняты частотные данные на частоте 1кГц. Полученные зависимости были проанализированы в рамках модели токов, ограниченных пространственным зарядом и сравнены друг с другом.

Films on the basis of С60 fullerene are of great scientific interest. In work were investigated IV characteristic and frequency dependences of an impedance of samples С60 on substrates of KDB (p-type) and KES (n-type). Films of С60 150 nm and 200 nm thick, were received by method of a vacuum sputtering in the quasiclosed volume on Si substrates. Current-voltage characteristics of samples were measured in voltage range of 0.03-4V and also frequency data at a frequency of 1 kHz are taken off. The received dependences were analyzed within model of the currents limited to a spatial charge and compared with each other.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Реферат

Статистика использования

stat Количество обращений: 42
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика