Пленки на основе фулллерена С60 представляют большой научный интерес. В работе были исследованы ВАХ и частотные зависимости импеданса образцов С60 на подложках КДБ(p-тип) и КЭС(n-тип). Пленки С60 толщиной 150 нм и 200 нм, были получены методом вакуумного напыления в квазизамкнутом объеме на подложках Si. Были измерены вольтамперные характеристики образцов в диапазоне напряжений 0,03-4В, а также сняты частотные данные на частоте 1кГц. Полученные зависимости были проанализированы в рамках модели токов, ограниченных пространственным зарядом и сравнены друг с другом.

Films on the basis of С60 fullerene are of great scientific interest. In work were investigated IV characteristic and frequency dependences of an impedance of samples С60 on substrates of KDB (p-type) and KES (n-type). Films of С60 150 nm and 200 nm thick, were received by method of a vacuum sputtering in the quasiclosed volume on Si substrates. Current-voltage characteristics of samples were measured in voltage range of 0.03-4V and also frequency data at a frequency of 1 kHz are taken off. The received dependences were analyzed within model of the currents limited to a spatial charge and compared with each other.

• Реферат