Клюева, Евгения Николаевна. Исследование процессов формирования омических контактов к эпитаксиальным слоям карбида кремния [Электронный ресурс]: выпускная квалификационная работа магистра: 22.04.01 - Материаловедение и технологии материалов ; 22.04.01_01 - Материаловедение наноматериалов и компонентов электронной техники = Study of the formation of ohmic contacts to epitaxial layers of silicon carbide / Е. Н. Клюева; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт металлургии, машиностроения и транспорта ; науч. рук. Ю. В. Соловьев. — Электрон. текстовые дан. (1 файл : 2,8 Мб). — Санкт-Петербург, 2019. — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/vr19-999.pdf>. — <URL:http://doi.org/10.18720/SPBPU/3/2019/vr/vr19-999>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-999-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-999-r.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2019/vr/rev/vr19-999-a.pdf>.