В данной работе исследуются изменения структуры тонкой плёнки аморфного кремния облученного электронным пучком с различной энергией и дозами. Произведено экспериментальное исследование спектров комбинационного рассеяния света (эффект Рамана).Показано, что облучение электронами с энергией 5-10 keV аморфной пленки кремния толщиной 30 nm на силикатном стекле приводит к ее кристаллизации при температуре, значительно меньшей температуры плавления и отжига кремния.

An experimental study of the changes in the structure of a thin film of amorphous silicon irradiated by electron beam with different energy and radiations doses. Was conducted an experimental study of Raman spectra (Raman effect). It is shown that electron irradiation with energy of 5-10 keV of an amorphous silicon film with30 nm thickness on a silicate glass leads to film crystallization at the temperature significantly lower than the melting and annealing temperature of silicon.