Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
Тема выпускной квалификационной работы: «Совершенствование технологии создания многоострийных полевых эмиттеров с металл-фуллереновыми покрытиями». Данная работа посвящена отработке усовершенствованной технологии создания металлизации многоострийных полевых эмиттеров с защитным металл-фуллереновым покрытием. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Отработка нанесения тонкого слоя металлизации на обратную сторону многоострийного катода. 2. Изучение влияния металлизации обратной стороны многоострийной кремниевой пластины на характеристики полевой эмиссии. Работа проведена в лаборатории Сильноточной и СВЧ электроники СПбПУ. Разработана и опробована усовершенствованная технология создания двухслойного мелалл-фуллеренового покрытия. Металлизация обратной стороны многоострийного катода из кремния с двухслойным покрытием позволила получить токи эмиссии около 50 мА в непрерывном режиме.
The subject of the graduate qualification work is “Improving the technology for creating multi-tip field emitters with metal-fullerene coatings”. The given work is devoted to development of an improved technology for creating metallization of multi-tip field emitters with a protective metal-fullerene coating. The research set the following goals: 1. Creating a thin metallization layer on the back of the emitter. 2. Study the effect of metallization on the characteristics of field emission. The work was fulfilled in the laboratory of high-current and microwave electronics of SPbSTU. An improved technology for creating a two-layer metal-fullerene coating has been developed and tested. Metallization of the reverse side of the multi-tip silicon cathode with a two-layer coating allowed to obtain emission currents of about 50 mA in continuous mode.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 5
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |