Details

Title: Исследование процессов кристаллизации аморфного кремния в тонкоплёночных системах: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_10 «Физическая и биомедицинская электроника»
Creators: Палёнов Михаил Евгеньевич
Scientific adviser: Габдуллин Павел Гарифович
Other creators: Давыдов Сергей Николаевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2020
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: солнечные элементы; кремниевые технологии; кристаллизация аморфного кремния; модификация поверхности; импульсный лазерный отжиг; тонкоплёночные структуры; solar cells; silicon technology; crystallization of amorphous silicon; surface modification; pulsed laser annealing; thin-film structures
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1654
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Поликристаллический кремний различной чистоты является основным материалом для создания приборов современной электроники, микроэлектроники и фото-энергетики, масштабы его применения в изготовлении солнечных элементов трудно переоценить. Цель данной работы заключается в поиске оптимального способа кристаллизации аморфного кремния при помощи импульсного лазерного воздействия, для создания эффективных и недорогих солнечных элементов, способных работать на нетугоплавких подложках. В ходе работы были модифицированы тонкие плёнки аморфного кремния, а так же предложены способы защиты кремния от окисления с помощью инертного газа и защитным покрытием. Данные рамановской спектроскопии модифицированных областей с каждого из образцов говорят об образовании нанокристаллов. Все значения рамановского смещения попадают в область допустимых значений, характерных для кристаллического кремния.

Polycrystalline silicon of various purities is the main material for creating devices of modern electronics, microelectronics and photo-energy. The use of the in the manufacture of solar cells is difficult to overestimate. The aim of this work is to find the optimal method for crystallization of amorphous silicon using pulsed laser irradiation to create efficient and inexpensive solar cells that can work on low-melting substrates. In the course of the work, thin films of amorphous silicon were modified, and methods for protecting silicon from oxidation using an inert gas and a protective coating were also proposed. Raman spectroscopy of the modified regions from each of the samples showed the formation of nanocrystals. All values of the Raman displacement fall within the range of allowable values characteristic of crystalline silicon.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 4
Last 30 days: 0
Detailed usage statistics