Поликристаллический кремний различной чистоты является основным материалом для создания приборов современной электроники, микроэлектроники и фото-энергетики, масштабы его применения в изготовлении солнечных элементов трудно переоценить. Цель данной работы заключается в поиске оптимального способа кристаллизации аморфного кремния при помощи импульсного лазерного воздействия, для создания эффективных и недорогих солнечных элементов, способных работать на нетугоплавких подложках. В ходе работы были модифицированы тонкие плёнки аморфного кремния, а так же предложены способы защиты кремния от окисления с помощью инертного газа и защитным покрытием. Данные рамановской спектроскопии модифицированных областей с каждого из образцов говорят об образовании нанокристаллов. Все значения рамановского смещения попадают в область допустимых значений, характерных для кристаллического кремния.

Polycrystalline silicon of various purities is the main material for creating devices of modern electronics, microelectronics and photo-energy. The use of the in the manufacture of solar cells is difficult to overestimate. The aim of this work is to find the optimal method for crystallization of amorphous silicon using pulsed laser irradiation to create efficient and inexpensive solar cells that can work on low-melting substrates. In the course of the work, thin films of amorphous silicon were modified, and methods for protecting silicon from oxidation using an inert gas and a protective coating were also proposed. Raman spectroscopy of the modified regions from each of the samples showed the formation of nanocrystals. All values of the Raman displacement fall within the range of allowable values characteristic of crystalline silicon.