Детальная информация

Название: Исследование акцепторных уровней в квантовых ямах GaAs/AlGaAs легированных бериллием: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника»
Авторы: Родионов Алексей Евгеньевич
Научный руководитель: Винниченко Максим Яковлевич
Другие авторы: Гаврикова Татьяна Андреевна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: квантовые ямы; размерное квантование; акцепторные уровни; оптические переходы; поглощение света; фотолюминесценция; полупроводниковые гетероструктуры; quantum wells; dimensional quantization; acceptor levels; optical transitions; light absorption; photoluminescence; semiconductor heterostructures
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 11.03.04
Группа специальностей ФГОС: 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-1761
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена изучению квантовых ям GaAs/AlGaAs, легированных бериллием. Целью работы было получение спектров поглощения света полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми ямами в широком диапазоне температур для более подробного изучения энергетического спектра акцепторов и дырок в валентной зоне. Для этого были проведены: характеризация структур GaAs/AlGaAs; определение величины энергии связи акцепторов путем измерения температурной зависимости электропроводности; снятие поляризационных спектров интенсивности света прошедшего через образец с квантовыми ямами и через референсный образец без квантовых ям в многопроходной геометрии для дальнейшего получения спектров поглощения с помощью двух разных методик. Для оценки полученных результатов предварительно были рассчитаны значения энергетических переходов в исследуемой структуре. Данные, которые были получены в ходе работы, показали хорошее согласие с рассчитанными значениями, что говорит о правильной интерпретации результатов.

This work is devoted to the study of GaAs/AlGaAs quantum wells doped with beryllium. The aim of the work was to obtain the light absorption spectra of a semiconductor heterostructure with quantum wells in a wide temperature range. Obtained results: characterization of GaAs/AlGaAs structures; determination of the binding energy of acceptors by measuring the temperature dependence of electrical conductivity; measuring the polarized intensity spectra of light transmitted through a sample with quantum wells and through a reference sample without quantum wells in multipass geometry. In order to evaluate the obtained results, the energy levels in the studied structure were preliminarily calculated. The obtained experimental results shown good agreement with the theoretical calculations, which indicates a correct interpretation of the results.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 7
За последние 30 дней: 3
Подробная статистика