Данная работа посвящена изучению квантовых ям GaAs/AlGaAs, легированных бериллием. Целью работы было получение спектров поглощения света полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми ямами в широком диапазоне температур для более подробного изучения энергетического спектра акцепторов и дырок в валентной зоне. Для этого были проведены: характеризация структур GaAs/AlGaAs; определение величины энергии связи акцепторов путем измерения температурной зависимости электропроводности; снятие поляризационных спектров интенсивности света прошедшего через образец с квантовыми ямами и через референсный образец без квантовых ям в многопроходной геометрии для дальнейшего получения спектров поглощения с помощью двух разных методик. Для оценки полученных результатов предварительно были рассчитаны значения энергетических переходов в исследуемой структуре. Данные, которые были получены в ходе работы, показали хорошее согласие с рассчитанными значениями, что говорит о правильной интерпретации результатов.

This work is devoted to the study of GaAs/AlGaAs quantum wells doped with beryllium. The aim of the work was to obtain the light absorption spectra of a semiconductor heterostructure with quantum wells in a wide temperature range. Obtained results: characterization of GaAs/AlGaAs structures; determination of the binding energy of acceptors by measuring the temperature dependence of electrical conductivity; measuring the polarized intensity spectra of light transmitted through a sample with quantum wells and through a reference sample without quantum wells in multipass geometry. In order to evaluate the obtained results, the energy levels in the studied structure were preliminarily calculated. The obtained experimental results shown good agreement with the theoretical calculations, which indicates a correct interpretation of the results.