В данной выпускной квалификационной работе представлены результаты исследования примесного поглощения в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs. Был проведен расчет закона дисперсии дырок и спектра примесного поглощения с помощью метода разложения кулоновского потенциала по состояниям валентных подзон. Теоретические расчеты были сравнены с экспериментальными спектрами примесного поглощения. Показано, что основной вклад в спектр примесного поглощения вносят переходы с основного примесного состояния на делокализованные состояния валентных подзон, а также фотоионизация примеси. Результаты данной работы могут быть использованы для создания длинноволновых инфракрасных фотодетекторов, модуляторов, источников света, контролируемых оптической или электрической накачкой.

This work presents the results of impurity assisted absorption of p-GaAs/AlGaAs quantum wells. The band diagram of holes in quantum well and the absorption spectrum were calculated using the method of decomposition of the Coulomb potential in the states of holes in the valence subbands. The theoretical results were compared with the experimentally observed absorption spectra. It has been shown that the main contribution to the absorption is associated with transitions from the ground impurity state to the delocalized states of valence subbands and photoionization of the impurity. The results of this work can be used to create long-wavelength infrared photodetectors, modulators, light sources controlled by optical or electrical pumping.