Details
| Title | Процессы роста и свойства ультратонких слоев CaF2 НА Si(111) для двумерной электроники: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» = Growth processes and properties of ultra-thin CaF2 layers on Si(111) for two-dimensional nanoelectronics |
|---|---|
| Creators | Погольша Дмитрий Николаевич |
| Scientific adviser | Шалыгин Вадим Александрович |
| Other creators | Гаврикова Татьяна Андреевна |
| Organization | Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций |
| Imprint | Санкт-Петербург, 2020 |
| Collection | Выпускные квалификационные работы ; Общая коллекция |
| Subjects | молекулярно-лучевая эпитаксия ; дифракция быстрых электронов на отражение ; атомно-силовая микроскопия ; ультратонкие пленки ; двумерная электроника ; фторид кальция ; molecular beam epitaxy ; reflection high-energy electron diffraction ; atomic force microscopy ; ultrathin films ; two-dimensional electronics ; calcium fluoride |
| Document type | Bachelor graduation qualification work |
| Language | Russian |
| Level of education | Bachelor |
| Speciality code (FGOS) | 11.03.04 |
| Speciality group (FGOS) | 110000 - Электроника, радиотехника и системы связи |
| Links | Отзыв руководителя ; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований |
| DOI | 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-2037 |
| Rights | Доступ по паролю из сети Интернет (чтение) |
| Record key | ru\spstu\vkr\7536 |
| Record create date | 7/23/2020 |
Allowed Actions
–
Action 'Read' will be available if you login or access site from another network
| Group | Anonymous |
|---|---|
| Network | Internet |
Данная работа посвящена выращиванию методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) тонких слоев фторида кальция на кремниевых подложках CaF2/Si(111) и исследованию их кристаллической структуры и топографии методами дифракции быстрых электронов (ДБЭ) на отражение и атомно-силовой микроскопии (АСМ). В ходе исследований были выращены и получены физические свойства 120 нм и 2 нм пленок CaF2, рассмотрен потенциал использования фторида кальция в двумерной наноэлектронике.
This work is devoted to the growth of thin layers of calcium fluoride on silicon substrates CaF2/Si(111) using molecular beam epitaxy (MBE) and the study of their crystal structure and topography by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and atomic force microscopy (AFM). After the growth, the physical properties of 120 nm and 2 nm CaF2 films were studied, and the potential of calcium fluoride films for using in two-dimensional nanoelectronics was considered.
| Network | User group | Action |
|---|---|---|
| ILC SPbPU Local Network | All |
|
| Internet | Authorized users SPbPU |
|
| Internet | Anonymous |
|
- ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА РАБОТА БАКАЛАВРА
- «ПРОЦЕССЫ РОСТА И СВОЙСТВА УЛЬТРАТОНКИХ СЛОЕВ CaF2 НА Si(111) ДЛЯ ДВУМЕРНОЙ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ»
- ЗАДАНИЕ
- РЕФЕРАТ
- ABSTRACT
- Введение
- Глава 1. Обзор литературы
- 1.1. Эпитаксиальные фториды второй группы
- 1.2. Молекулярно-лучевая эпитаксия
- 1.2.1. Технологическая установка МЛЭ
- 1.2.2. Компьютерное управление установкой
- 1.3. Кварцевый измеритель толщины
- 1.4. Атомно-силовой микроскоп
- 1.5. Контроль состояния поверхности подложки по ДБЭ
- 1.6. Исследование электрических характеристик образцов.
- 1.8. Влияние релаксации термических напряжений на морфологию поверхности слоев CaF2
- Глава 2. Экспериментальные результаты и их обсуждение
- 2.1. Очистка кремниевой подложки
- 2.2. Роль релаксации термических напряжений в процессе роста толстых слоев CaF2
- 2.3. Исследование тонких слоев фторида кальция
- Глава 3. Основные выводы
- 3.1. Анализ проведенных экспериментальных работ
- 3.2. Преимущества CaF2 перед другими материалами
- 3.3. Заключение
- Список литературы
