Погольша, Дмитрий Николаевич. Процессы роста и свойства ультратонких слоев CaF2 НА Si(111) для двумерной электроники: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» ; образовательная программа 11.03.04_04 «Микроэлектроника и твердотельная электроника» = Growth processes and properties of ultra-thin CaF2 layers on Si(111) for two-dimensional nanoelectronics / Д. Н. Погольша; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций ; научный руководитель В. А. Шалыгин ; консультант по нормоконтролю Т. А. Гаврикова. — Санкт-Петербург, 2020. — 1 файл (1,5 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/vr20-2037.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/rev/vr20-2037-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2020/vr/rev/vr20-2037-a.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-2037. — Текст