Детальная информация

Целью данной работы является изучение возможности наблюдения фотопроводимости, связанной с акцепторными состояниями в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. В задачи работы входит 1. Создание системы для экранирования внешнего излучения. 2. Исследование вольт-амперных характеристик. 3. Исследование спектров фотопроводимости для света, поляризованного в плоскости КЯ при различной температуре. Проводились измерения спектров фотопроводимости, исследовалась зависимость электропроводности от температуры для определения энергии связи акцепторной примеси, а также снимались вольт-амперные характеристики образца при разных температурах для определения поля пробоя. В результате были получены спектры фотопроводимости в ближнем, среднем и дальнем инфракрасном диапазоне. Были проанализированы механизмы примесной фотопроводимости и охарактеризованы полученные спектральные пики. На основе полученных особенностей можно сделать вывод, что структуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, легированные акцептором, перспективны для создания длинноволновых инфракрасных фотоприемников и модуляторов.

The given work is devoted to studying the possibility of observing photoconductivity associated with acceptor states in GaAs/AlGaAs quantum wells. 1. Creating a system for shielding external radiation. 2. Studying of current-voltage characteristics. 3. Investigation of the photoconductivity spectra for light polarized in the QW plane at different temperatures. The photoconductivity spectra were measured, the temperature dependence of the conductivity was studied to determine the binding energy of the acceptor impurity. Measurements of current-voltage characteristics of the sample were taken at different temperatures to determine the breakdown field. As a result, photoconductivity spectra were obtained in the near, middle, and far infrared ranges. The mechanisms of impurity photoconductivity were analyzed and the spectral peaks obtained were characterized. Based on the obtained features, it can be concluded that structures with GaAs/AlGaAs quantum wells doped with an acceptor are promising for creating long-wave infrared photodetectors and modulators.

• Содержание
• Введение
• Глава 1. Обзор литературы
• 1.1. Способы генерации излучения в инфракрасном диапазоне
• 1.2 Исследование структур легированных акцепторами
• 1.3. Цели и задачи
• Глава 2. Методика эксперимента
• 2.1. Исследуемые образцы
• 2.2. Экспериментальная установка
• Глава 3. Результаты измерений и их обработка
• 3.2. Измерение вольт-амперных характеристик
• 3.3. Спектры фотопроводимости
• Заключение
• Список использованных источников