Данная работа посвящена изучению терагерцовой экситонной фотолюминесценции в кремнии. Целью исследования была возможность обнаружения терагерцового излучения в Si. Спектральные исследования проводились в кристаллах высокочистого Si при температуре 5 К и в условиях межзонного оптического фотовозбуждения с интенсивностью накачки 0,1 Вт/см2. В качестве метода исследования был выбран метод Фурье – спектроскопии. В результате удалось обнаружить экситонную фотолюминесценцию в кристаллах кремния при межзонной оптической накачке. Спектр терагерцовой фотолюминесценции демонстрирует узкие эмиссионные линии оптических переходов между подуровнями 2P возбужденного и 1S основного состояний свободных экситонов.

This work is devoted to the study of terahertz exciton photoluminescence in silicon. The aim of the study was the possibility of detecting terahertz radiation in Si. The studies were carried out in crystals of high-purity Si at a temperature of 5 K and under conditions of interband optical photoexcitation with a pump intensity of 0.1 W/cm2. Spectra were taking using Fourier spectrometer. Research method - Fourier method - spectroscopy was chosen. Conductivity measurement at dry helium temperature. As a result, it was possible to detect exciton photoluminescence in Si crystals upon interband optical pumping. The terahertz photoluminescence spectrum demonstrates narrow emission lines of optical transitions between the sublevels 2P of the excited and 1S ground levels of free excitons.