Детальная информация

Данная работа посвящена исследованию образцов кремния, полученных путем лазерного легирования. Задачи, которые решались в ходе работы: 1. Изучение основ методов Атомно-силовой Микроскопии, Электростатической Силовой Микроскопии и Сканирующей Емкостной Микроскопии. 2. Проведение модельных экспериментов с помощью изученных методик. 3. Проведение экспериментов на образцах кремния, легированных мощным лазером. 4. Анализ полученных результатов. Исследования проводились в ФТИ им. Иоффе на образцах, предоставленных Физическим институтом им. П.Н. Лебедева РАН. В ходе работы были изучены образцы кремния, полученные путем лазерного легирования в среде жидкого сероуглерода. Один из образцов подвергался отжигу с последующей закалкой на воздухе. С помощью методов Атомно-силовой Микроскопии были получены профили топографии и потенциала модифицированных образцов. Результаты сканирования позволяют заключить, что потенциал модифицированных и немодифицированных поверхностей выравнивается после отжига, что может быть связано с генерацией дефектов на поверхности кремния. Таким образом результаты исследования говорят о том, что дальнейшее изучение поверхностных свойств модифицированного лазером кремния методом Сканирующей Емкостной Микроскопии возможно только с неотожженными образцами.

The given work is devoted to the study of silicon samples obtained by laser doping. The research set the following goals: 1. The study of the basics of Atomic Force Microscopy, Electrostatic Force Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy. 2. To carry out model experiments using the afore-mentioned methods. 3. To conduct experiments on laser doped silicon samples. 4. To analyze the results obtained. Studies were conducted at The Ioffe Institute on samples provided by the The Lebedev Physical Institute of the RAS. In the course of the work, silicon samples obtained by laser doping in a liquid carbon disulfide medium were studied. One of the samples was annealed and quenched in air. The methods of Atomic Force Microscopy was used to obtain the topography and potential profiles of the samples. The scan results suggest that the potential of the modified and unmodified surfaces is equalized after annealing, which may be due to the generation of a defect on the silicon surface. Thus, the results of the study suggest that further study of the surface properties of laser modified silicon using Scanning Capacitance Microscopy is possible only with unburned samples.