Данная работа посвящена исследованию распределения интенсивности излучения в дальнем поле полупроводниковых лазеров с конструкцией полоскового омического контакта «глубокая меза». В ходе работы была проведена серия измерений оптических характеристик лазеров. По результатам измерений у некоторых образцов наблюдалось сильное увеличение расходимости излучения в дальнем поле. Проведен анализ результатов и расчет с целью выяснить причину уширения распределения интенсивности излучения в дальнем поле. Показано, что моды, распространяющиеся под углом к оси резонатора, за счет отражения от стенок мезы, могут создавать пики интенсивности под углом 40° в дальнем поле.

The subject of graduate qualification work is far field pattern of broad area semiconductor lasers with «deep etched mesa grooves». The given work is developed to find out the problem because of which beam quality degradation in semiconductor lasers with «deep etched tranches» was observed.