Данная работа посвящена исследованию GaAs/AlAs квантовых ям с разными конфигурациями ширины ямы и барьера. Целью работы было изучение смешивания Х и Г состояний зоны проводимости, связанное с влиянием размерного квантования. Исследования проводились методом резонансного комбинационного (рамановского) рассеяния света с переворотом спина, позволяющим определить факторы Ландэ (g-факторы), составляющие экситонные комплексы частиц, участвующих в рассеянии. В работе было показано, что в зависимости от соотношения между параметрами барьера и ямы в GaAs/AlAs могут возбуждаться как прямые, так и непрямые в импульсном и реальном пространстве экситоны. Интерес в изучении последних состоит в том, что они обладают большим временем жизни по сравнению с первыми, что характеризует их как перспективные переносчики информации для применения в квантовых вычислениях и спинтронике. В результате работы были получены значения g-факторов дырок и электронов, составляющих экситон, а также изучена их симметрия. Результаты и выводы, приведенные в работе, могут быть использованы как для дальнейшего изучения спин-зависимых явлений в квантовых ямах, так и для создания устройств, использующих спиновую степень свободы.

The general subject of this work was researching of a GaAs/AlAs quantum wells with a different width configuration of wells and barriers. The purpose of the work was to study a mixing of X- and G- states of conduction band in a connection with a quantum confinement. The studies were carried out by a method of resonant combinative (Raman) light scattering with a spin-flip that allows to determine Landé factors (g-factors) which are composing exciton complexes of particles involved in scattering. The work is showing that capacity of exciting of direct and indirect excitons in momentum space and the real space depends on the relationship between the barrier and well parameters in GaAs/AlAs. The benefit of studying of the latters is their capacity of a longer lifetime in comparison with the formers, that characterizes them as promising information carriers for application in quantum computing and spintronics. As a result of the work were obtained the values of g-factors of that holes and electrons which constitute exciton and, also, were studied their symmetry. Results and conclusions presented in the work can be used for further study of spin-dependent phenomena in quantum wells and for creating devices that are using spin degree of freedom.