Детальная информация

Название: Развитие неустойчивости Бурсиана-Пирса в плазменных диодах: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 03.03.02 «Физика» ; образовательная программа 03.03.02_05 «Физика космических и плазменных явлений»
Авторы: Собина Эльвира Альбертовна
Научный руководитель: Быков Андрей Михайлович
Другие авторы: Веселова Ирина Юрьевна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: пульсар; диод бурсиана; функция распределения; неустойчивость бурсиана-пирса; потенциальный барьер; pulsar; bursian diode; distribution function; bursian-pierce instability; potential barrier
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Бакалавриат
Код специальности ФГОС: 03.03.02
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-3282
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\7933

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Данная работа посвящена развитию неустойчивости Бурсиана-Пирса в плазменных диодах. Одним из путей решения проблем, связанных с излучением пульсаров, является моделирование пульсарного диода с помощью плазменного диода. В работе был рассмотрен диод Бурсиана – это диод плоской геометрии. В нём с эмиттера поступают заряженные частицы, у которых известна начальная функция распределения по скоростям. Вылетевшие частицы движутся в вакууме бесстолкновительно. С помощью Q, G-метода для режима без отражения электронов было получено линейное уравнение для амплитуды возмущения поля в диоде. С помощью дисперсионного уравнения были исследованы на устойчивость стационарные решения для режима без отражения электронов. Также, с использованием метода диаграмм исследована апериодическая неустойчивость всех стационарных решений. А решения для режима, в котором происходит отражение электронов от потенциального барьера, были исследованы на устойчивость относительно малых возмущений с помощью численного Е, К-кода. Рассмотренные методы исследования устойчивости решений для диода Бурсиана могут быть успешно использованы для изучения устойчивости плазменных диодов с моноэнергетическим потоком электронов. В частности, можно попытаться изучить устойчивость решений у пульсарного диода.

The given work is devoted to development od Bursian-Pierce instability in plasma diodes. One way to solve problems related to pulsar's radiation is to simulate a pulsar diode using a plasma diode. In this paper we examined the Bursian diode which has a plane geometry. In this diode charged particles with a known initial velocity distribution function come from the emitter. Emitted particles move in the vacuum without collisions. With the help of the Q, G-method for the mode without reflection of electrons we obtained a linear equation for the amplitude of the field perturbation in the diode. Using the dispersion equation stationary solutions for the mode without reflection of electrons were tested for stability. Also, using the diagram method the aperiodic instability of all stationary solutions was investigated. Solutions for the mode with reflection of electrons from the potential barrier were tested for stability in relation to small perturbations with the help pf numerical E, K-code. Considered methods of solutions' stability research for the Bursian diode can be used successfully to study the stability of plasma diodes with a monoenergetic electron flow. Particularly it can be used for studying the stability of solutions of a pulsar diode.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
-> Интернет Анонимные пользователи

Оглавление

  • Содержание
  • Введение
  • Глава 1. Q, G-метод
  • Глава 2. Устойчивость решений в режиме без отражения электронов
  • 2.1. Амплитуда возмущения поля
  • 2.2. Диод Бурсиана
  • Глава 3. Устойчивость решений в диоде Бурсиана в режиме с отражением электронов
  • Заключение
  • Список литературы

Статистика использования

stat Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика