Объектом исследования является динамика углового момента фотоиндуцированных носителей на интерфейсе структуры SiO2(Co)/GaAsи на стороне чистого GaAs при разных температурах. Целью экспериментальной части работы является изучение температурных зависимостей поляризации люминесценции от магнитного поля для структуры SiO2(Co)/GaAs, а также сравнение этих зависимостей с структуройSiO2(Cu)/GaAs при температуре 77 К. В первой части работы представлен обзор литературы. В обзоре рассмотрены структура SiO2(Co)/GaAs, процесс оптической ориентации, эффект Ханле и описание процесса подавления спиновой релаксации для GaAs, легированного марганцем. Во второй части работы представлены результаты исследований зависимости поляризации люминесценции от магнитного поля при температурах 1,5 К, 20 К, 77 К, 300 К, посчитаны времена спиновой релаксации и времена жизни носителей для каждой из температур, представлен анализ этих результатов. Представлено сравнение зависимостей поляризации люминесценции от магнитного поля для структурSiO2(Co)/GaAs и SiO2(Cu)/GaAs при температуре 77 К.

The object of the study is the dynamics of an angular momentum of photoinduced carriers on the interface of the SiO2(Co)/GaAs structure and on the side of pure GaAs at different temperatures. The aim of the experimental part of the work is to study the temperature dependences of luminescence polarization on the magnetic field for the SiO2(Co)/GaAs structure, as well as to compare these dependences with the SiO2(Cu)/GaAs structure at 77 K. In the first part of the work the review of the literature is presented. In the review we consider the structure of SiO2(Co)/GaAs, the optical orientation process, the Hanle effect and the description of spin relaxation suppression process for manganese-doped GaAs. In the second part of the work we present the results of studies of the dependence of luminescence polarization on the magnetic field at 1,5 K, 20 K, 77 K, 300 K temperatures, we calculated spin relaxation times and carriers’ life times for each temperature, and present an analysis for these results. We present a comparison of the dependence of luminescence polarization on the magnetic field for SiO2(Co)/GaAs and SiO2(Cu)/GaAs structures at 77 K.