Детальная информация

Название: Тепломассообмен в хлорид-гидридном реакторе HVPE установки эпитксиального роста монокристаллов: выпускная квалификационная работа магистра: направление 03.04.01 «Прикладные математика и физика» ; образовательная программа 03.04.01_04 «Экспериментальная и вычислительная теплофизика»
Авторы: Святец Геннадий Викторович
Научный руководитель: Степанов Вячеслав Васильевич
Другие авторы: Шарофидинов Шукрилло Шамсидинович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт прикладной математики и механики
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2020
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: тепломассообмен; массоперенос; эпитаксия; хлорид-гидридный реактор; подложка; нитриды; вертикальный HVPE реактор; горизонтальный HVPE реактор; heat and mass transfer; mass transfer; epitaxy; chloride-hydride reactor; substrate; nitrides; vertical HVPE reactor; horizontal HVPE reactor
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 03.04.01
Группа специальностей ФГОС: 030000 - Физика и астрономия
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2020/vr/vr20-4716
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Тема выпускной квалификационной работы: «Тепломассообмен в хлорид-гидридном реакторе HVPE установки эпитаксиального роста монокристаллов». Проведено моделирование процессов тепломассообмена в четырех типах эпитаксиальных хлорид - гидридных реакторах (HVPE реакторы), рассмотрены все процессы в нем протекающие, проведено численное исследование. Для каждого типа реактора (вертикальный прямой, вертикальный перевернутый, горизонтальный) были получены наборы данных вычислительного эксперимента. Установлено, что оптимальным для эптикасиального роста пленок является реактор горизонтального типа (по качеству пленки и оптимальной скорости роста (для пленок типа GaN). Установлено и подтверждено экспериментально, что скорость роста монокристаллического слоя зависит от температуры.

Modeling of heat and mass transfer processes in four types of epitaxial chloride hydride reactors (HVPE reactors) was performed, all processes occurring in it were considered, and a numerical study was conducted. For each type of reactor (vertical straight, vertical inverted, horizontal), data sets of the computational experiment were obtained. It was found that the optimal for epticasial growth of films is a horizontal type reactor in terms of film quality and optimal growth rate (for GaN type films). It is established that the growth rate of the single-crystal layer depends on the temperature.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи Прочитать
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 0
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика