Данная работа посвящена применению схем псевдодифференциального типа в сигма-дельта модуляторе. Целью данной дипломной работы служит реализация схем обычной и псевдодифференциальной структур второго порядка на идеальных элементах и по КМОП технологии 180 нм, а также рассмотрение свойств модуляторов при добавлении шума в схему и при влиянии различных температур. Показано преимущество псевдодифференциальной структуры в подавлении кратных гармоник и синфазных помех. При тактовой частоте 10 МГц и полосе входного сигнала 78 кГц схема обеспечивает отношение сигнал/шум до 65 дБ. Для обеспечения устойчивости схемы к изменениям температуры и уходу параметров предложена модификация схемы каскодного усилителя.

This work is devoted to applying structures of pseudo-differential type in a sigma-delta modulator. The purpose of this thesis is to implement circuits of conventional and pseudo-differential 2nd order structures both using ideal elements and a 180nm CMOS technology, as well as to consider the properties of modulators when adding noise to the circuit and under the influence of various temperatures. The advantage of the pseudo-differential structure in suppressing even-order harmonics and common-mode noise is shown. With a clock frequency of 10 MHz and an input signal band of 78 kHz, the circuit provides a signal-to-noise ratio of up to 65 dB. To ensure the stability of the circuit to temperature changes and parameter deviation, a modification of the cascode amplifier circuit is propose.