Детальная информация

Название: Инфракрасное примесное поглощение в квантовых ямах p-GaAs/AlGaAs: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_01 «Физика и техника полупроводников»
Авторы: Федоров Арсений Дмитриевич
Научный руководитель: Винниченко Максим Яковлевич
Другие авторы: Гаврикова Татьяна Андреевна
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Квантование; квантовые ямы; акцепторы; инфракрасное поглощение; оптические свойства; электрические свойства; quantum well; acceptor; infrared absorption; optical properties; electric properties
УДК: 530.145; 537.311.322
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Уровень высшего образования: Магистратура
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2062
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Ключ записи: ru\spstu\vkr\12221

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Исследованы спектры инфракрасного поглощения в наноструктуре GaAs/AlGaAs легированной бериллием. Исследованы и проанализированы спектральные особенности поглощения двух поляризаций, описаны соответствующие особенностям спектра, переходы между состояниями. Были получены вольт-амперные характеристики, проанализированы и объяснены особенности на графике. С помощью исследования электропроводности квантовых ям, найдена величина энергии ионизации акцепторной примеси.

The infrared absorption spectra in the GaAs / AlGaAs nanostructure doped with beryllium are investigated. The spectral features for the absorption of two polarizations are investigated and analyzed, and the transitions between states corresponding to the features of the spectrum are described. The current-voltage characteristics were obtained, the features on the graph were analyzed and explained. By studying the electrical conductivity of quantum wells, the ionization energy of the acceptor impurity was found.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Внешние организации №2 Все Прочитать
Внешние организации №1 Все
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №2) Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ, №1)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика