Данная работа посвящена эффекту резистивного переключения в композитных пленках на основе металлоорганических перовскитов CH3NH3PbBr3 и CH3NH3PbI3 с частицами оксида графена (GO). Основная цель работы - исследование эффектов резистивного переключения в металлоорганических перовскитах и их композитах с частицами оксида графена, определение режимов и механизма резистивного переключения. Установлено, что эффект резистивного переключения в пленках Ag/[60]PCBM/CH3NH3PbBr3(I3):GO/PEDOT:PSS/ITO/glass проявляется в резком изменении состояния из HRS (high resistance state) в LRS (low re-sistance state) при подаче как положительного, так и отрицательного смещения на Ag и ITO электроды, как в темноте, так и при освещении имитатором солнечного света. Исследованные композитные пленки на основе металлоорганических перовскитов CH3NH3PbBr3 и CH3NH3PbI3 с частицами оксида графена с концентрацией 1−3 wt.% и слоем фуллерена [60]PCBM перспективны для создания энергонезависимых ячеек RRAM памяти с электрической и оптической записью информации. Предположено, что механизм резистивного переключения связан с захватом и накоплением носителей заряда в частицах GO за счет процессов восстановления/окисления.

The given work is devoted to the effect of re-sistive switching in composite films based on organometallic perovskites CH3NH3PbBr3 and CH3NH3PbI3 with graphene oxide (GO) particles. The main goal of this work is to study the effects of resistive switching in organometallic perovskites and their composites with parts of graphene oxide, determination of modes and mechanism of resistive switching. It is found that the resistive switching effect in Ag/[60]PCBM/CH3NH3PbBr3(I3):GO/PEDOT:PSS/ITO/glass films is observed as a sharp change from HRS (high resistance state) to LRS (low resistance state) as both positive and negative biases are applied to Ag and ITO elec-trodes in the darkness and during illumination by a sunlight imitator. The composite films based on organometallic perovskites CH3NH3PbBr3 and CH3NH3PbI3 with graphene oxide (GO) particles with concentration 1–3 wt. % and a layer of [60]PCBM fullerene are promising for the creation of non-volatile RRAM memory cells with electrical and optical information recording. The resistive switching mechanism is assumed to be related to the capture and accumulation of charge carriers in GO particles due to the reduction/oxidation processes.