Данная работа посвящена исследованию эпитаксиальных p-n гетероструктур и фотодиодов с поглощающим слоем из InAs1-xSbx (с содержанием сурьмы 35 – 45 %), выращенных на подложке n-InAs (100) (n = 2•10 ¹⁶ cm ⁻³) методом жидкофазной эпитаксии, работающих в интервале температур 77 - 300 К и обладающих максимумами спектральной фоточувствительности около 8 мкм и длинноволновыми границами λ0.1 около 9.5, 10.5 и 11.5 мкм соответственно при комнатной температуре. В ходе работы были проанализированы вольт-амперные характеристики, спектры фотоответа и электролюминесценции полученных экспериментальных образцов в диапазоне температур 80 – 300 K. Показано, что экспериментальные образцы фотодетекторов характеризуются квантовой эффективностью, QE ≥ 0.23 при температуре 150 К и диффузионным механизмом токопротекания в диапазоне температур 200 – 300 К. Детектирующие способности в максимуме спектральной зависимости составляют не менее D*8 µm = 8Е8 и D*5.5 µm = 1Е¹⁰ смГц¹/²Вт⁻¹ для температур 300 и 150 К соответственно. Полученные результаты позволяют применять исследованные фотодетекторы в качестве фоточувствительных компонентов фотоприемных устройств для газового анализа, систем дистанционного зондирования Земли, низкотемпературной пирометрии, систем исследования длинноволновых лазеров.

This work is devoted to the results of studying epitaxial p-n heterostructures and photodiodes with an absorbing InAs1-xSbx layer (with antimony con-tent 35 – 45 %) grown on an n-InAs (100) substrate (n = 2 × 10¹⁶ cm⁻³) by liquid-phase epitaxy method, operating in the temperature range 77 – 350 K and having spectral photosensitivity maxima of about 8 μm and cut-off wavelength λ0.1 around 9.5, 10.5, and 11.5 μm, respectively, at room temperature. In the course of the work, the current-voltage characteristics, photore-sponse and electroluminescence spectra of the obtained experimental samples were analyzed in the temperature range 80 – 300 K. It is shown that experimental samples of photodetectors are characterized by a quantum efficiency equal to at least 0.23 at a temperature of 150 K and a diffusion mechanism of current flow in the temperature range of 200 – 300 K. The detecting capacities at the maximum have a value of at least D*8 µm = 8E8 and D*5.5 µm = 1E¹⁰ cmHz¹/²W⁻¹for temperatures of 300 and 150 K, respectively. The results obtained make it possible to potentially use the investigated photodiodes as photosensitive components of photodetectors for systems for studying long-wave lasers, gas analysis, Earth remote sensing systems, low-temperature pyrometry.