Детальная информация

Название: Отработка технологии магнетронного распыления нанослоёв оксида кремния: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники»
Авторы: Жуков Павел Юрьевич
Научный руководитель: Афанасьева Елена Владимировна; Лукьянов Валерий Дмитриевич
Другие авторы: Филатов Леонид Анатольевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: вч магнетронное распыление; оксид кремния; изоляционные слои; акустические линии задержки; rf magnetron sputtering; silicon oxide; insulation layers; acoustic delay lines
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 28.03.01
Группа специальностей ФГОС: 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2222
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение)
Дополнительно: Новинка

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В работе рассмотрено влияние технологических параметров на процесс осаждения оксида кремния при ВЧ магнетронном распылении. Изучена методика распыления, и, опираясь на изученную литературу, предложен оптимальный режим для напыления аморфных нанослоёв оксида кремния. Проведены эксперименты по осаждению оксида без добавления кислорода в рабочий газ и с добавлением первого. Отработанный процесс был применён для модификации линий задержки, что привело к улучшению их характеристик.

The influence of technological parameters on the deposition of silicon oxide during RF magnetron sputtering was considered. Based on the literature studied, the optimal mode for sputtering amorphous silicon oxide nanolayers is proposed. Experiments were carried out on the deposition of oxide without adding oxygen to the working gas and with the addition of the oxygen. The developed process was used to modify the delay lines, which led to an improvement of their characteristics.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 2
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика