Details

Title: Исследование дефектной структуры оксида галлия: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 28.03.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» ; образовательная программа 28.03.01_01 «Технологии материалов и изделий микросистемной техники»
Creators: Заричный Антон Андреевич
Scientific adviser: Семенча Александр Вячеславович
Other creators: Филатов Леонид Анатольевич
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт машиностроения, материалов и транспорта
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: Ga2O3; полиморфизм; ростовые дефекты структуры; жидкостное избирательное травление; polymorphism; growth defects of the structure; wet etching
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Speciality code (FGOS): 28.03.01
Speciality group (FGOS): 280000 - Нанотехнологии и наноматериалы
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-2325
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена выявлению и исследованию ростовых дислокаций α- и β- полиморфов оксида галлия. Задачи, которые ставились в ходе исследования: ознакомление с особенностями роста α- и β- полиморфов оксида галлия; избирательное травление поверхности слоев и кристаллов оксида галлия и выявление ямок травления, обусловленных дислокациями; исследование фигур травления и их плотности в кристаллах и слоях оксида галлия.

The present paper is dedicated to the identification and study of growth dislocations of α - and β - polymorphs of gallium oxide. The author outlines the following tasks: Introduction to the growth features of agallium oxide α - and β - polymorphs; Selective wetching of the surface of gallium oxide layers and crystals and identification of etching pits caused by dislocation; study of etching patterns and their density in gallium oxide crystals and layer.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
Internet Authorized users (not from SPbPU)
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 3
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics