В работе рассмотрена возможность микрообработки различных материа-лов с помощью 50 пикосекундных импульсов лазерного излучения ближ-ней ИК области. Изучены особенности взаимодействия излучения сверх-коротких импульсов с различными веществами. На примере исследования монокристаллического сапфира были изучены количественные и каче-ственные характеристики лазерной микрообработки. По результатам ра-боты, наиболее эффективным для тонкой поверхностной микрообработки был режим со следующими параметрами: f=0.5 МГц, P=10 Вт, E=2∙10-5 Дж, F=1,02 Дж/см2. Также в рамках данного режима была изучена эволю-ция реза, было установлено, что с повышением числа последовательных сканирований, глубина реза выходит на насыщение, соответствующее глу-бине порядка 40 мкм.

The paper considers the possibility of micromachining various materials using 50 picosecond laser pulses in the near-IR region. The features of the interaction of ultrashort pulse radiation with various materials have been studied. The quantitative and qualitative characteristics of laser micromachining were stud-ied using the example of studying single-crystal sapphire. According to the re-sults of the work, the most effective mode for fine surface micromachining was the mode with the following parameters: f=0.5 MHz, P=10 W, E=2∙10-5 J, F=1,02 J/сm2. Also, within the framework of this mode, the evolution of the cut was studied, it was found that with an increase in the number of sequential scans, the depth of the cut reaches saturation, corresponding to a depth of about 40 microns.