Данная работа посвящена исследованию динамики разогрева активной области полупроводниковых линеек на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs, в частности изучение движения дальневолновой границы спектра и построение температурных карт разогрева. Задачи, которые решались в ходе исследования: 1. Исследование излучательных параметров микролинеек в режиме генерации мощных лазерных импульсов: ватт-амперные характеристики, спектры генерации. 2. Построение температурных карт разогрева активной области образцов. 3. Сравнение полученных экспериментальных данных для различных лазерных структур. В ходе данной работы проведен комплекс измерений оптических характеристик образцов с разным дизайном конструкций. Обработка всех данных проводилась в программе OriginPro 2018. Анализ экспериментальных графиков показал стабильный рост мощности излучения при повышении амплитуды импульса тока накачки, несущественное влияние на выходные характеристики микролинеек при повышении рабочей температуры, отсутствие отличий разогрева активной области экспериментальных образцов. В связи с данными фактами были сделаны выводы о высокой надежности и малой температурной чувствительности дифференциальной квантовой эффективности исследуемых лазеров.

The given work is devoted to the study of the heating dynamics the active region of semiconductor bars based on AlGaAs / GaAs heterojunction the study of the motion of the redshift peak wavelength of the spectrum and creating the temperature charts of heating. The following tasks were set to solve: 1. Investigation of the radiative parameters of the laser bar in the mode of generation of powerful laser pulses: watt-ampere characteristics, lasing spectra. 2. Construction of temperature maps of heating the active region of the samples. 3. Comparison of the obtained experimental data for various laser structures. In the course of this work, a set of measurements of the optical characteristics of the samples with different structural designs was carried out. All data were processed using the OriginPro 2018 program. Analysis of the experimental plots showed a stable increase in radiation power with an increase in the pump current pulse amplitude, an insignificant effect on the output characteristics of the laser bar with an increase in the operating temperature, and the absence of differences in the heating of the active region of experimental samples. Due to these facts, the conclusions about the high reliability and low temperature sensitivity of the differential quantum efficiency of the researched lasers were reached.

• Введение
• Глава 1. Полупроводниковые лазеры
  • 1.1. Физические основы полупроводникового лазера
  • 1.2. Устройство инжекционного полупроводникового лазера
• Глава 2. Разогрев активной области мощных полупроводниковых лазеров
  • 2.1. Мощные полупроводниковые лазеры
  • 2.2. Температурная стабилизация работы полупроводникового лазера
• Глава 3. Исследование разогрева активной области мощных полупроводниковых лазеров
  • 3.1. Описание установки и методики проведения экспериментов
  • 3.2. Описание экспериментальных образцов
  • 3.3. Обработка данных
  • 3.4. Результаты измерений
• Заключение
• Список литературы