Данная работа посвящена исследованию и оптимизации поверхностного РБЗ для одномодовых полупроводниковых лазеров. В ходе работы были проведены расчеты и получено двумерное распределение электромагнитного излучения в волноводе полупроводникового лазера конечных латеральных размеров. С помощью теории связанных мод были рассчитаны зависимости коэффициента связи от различных параметров РБЗ и различных геометрических форм штриха РБЗ и мезаполоска. В ходе эксперимента были измерены спек-тральные характеристики одномодового РБЗ-лазера в непрерывном режиме инжекции. Продемонстрировано существенное сужение ширины спектра генерации и повышение токовой стабильности.

This work is devoted to the study and optimization of the surface DBR for single-mode semiconductor lasers. In the course of the work, calculations were carried out and a two-dimensional distribution of electromagnetic radiation in a semiconductor laser waveguide of finite lateral dimensions was obtained. Using coupled mode theory, the dependences of the coupling coefficient on various parameters of the DBR and various geometric shapes of the DBR stroke and mesa were calculated. In the course of the experiment, the continuous wave spectral characteristics of a single-mode DBR laser were measured. A significant narrowing of the lasing spectrum width and an increase in current stability are demonstrated.