Данная экспериментальная работа посвящена изучению эффектов, возникающих при облучении электронами с энергиями 6-10 кэВ аморфной углеродной пленки толщиной 30 нм, нанесенной на стеклянную подложку. Было проведено электронное облучение и спектральный анализ образцов до и после облучения. В результате исследования спектров комбинационного рассеяния света и спектров люминесценции было заключено, что электронное облучение вызывает частичную кристаллизацию аморфного углерода и образование карбида кремния на границе пленка аморфного углерода – стеклянная подложка. Исследовано влияние энергии электронов и дозы электронного облучения на эффективность кристаллизации пленки аморфного углерода.

This experimental work is devoted to the study of the effects that occur when an amorphous carbon film with a thickness of 30 nm deposited on a glass substrate is irradiated with electrons with energies of 6-10 keV. Electron irradiation and spectral analysis of the samples before and after irradiation were performed. As a result of researching Raman spectra and luminescence spectra, it was concluded that electron irradiation causes partial crystallization of amorphous carbon and the formation of silicon carbide at the boundary of the amorphous carbon film – glass substrate. The effect of the electron energy and the electron irradiation dose on the crystallization efficiency of the amorphous carbon film were investigated.