В данной работе были исследованы нановключения в серии образцов LTG-GaAs и LTG-AlGaAs с соосаждением As и Sb. Структуры исследованы методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) в поперечном сечении образца. Были определены такие параметры, как размер, плотность распределения массива выделений в слое, их объемная доля, а также состав нановключений As-Sb. В результате проведенных исследований было установлено, что легирование сурьмой приводит к увеличению размеров нановключений, что вызвано влиянием изовалентного легирования сурьмой на захват мышьяка при росте, а также появление напряжений в пленке из-за рассогласования решеток GaAs и Sb. Влияние Al также характеризуется увеличением размеров нановключений, однако это связано с диффузионными процессами при преципитации. Также были проанализированы спектры оптической экстинкции, где аналитически обнаружен резонансный пик с энергией 2,4 эВ. Природа сдвига пика резонансного поглощения не ясна. Объяснение этого явления, а также влияния нановключений As-Sb на проявление резонанса является актуальной задачей для будущих исследований.

In this paper, was studied nanoinclusions in a series of LTG-GaAs and LTGAlGaAs samples with co-precipitation of As and Sb. The structures were studied by transmission electron microscopy (TEM) in the cross-section of the sample. We determined such parameters as the size, density of distribution of the array of precipitates in the layer, their volume fraction, as well as the composition of As-Sb nanoinclusions. As a result of the studies carried out, it was found that doping with antimony leads to an increase in the size of nanoinclusions, which is caused by the effect of isovalent doping with antimony on the capture of arsenic during growth, as well as by the appearance of stresses in the film due to the lattice mismatch between GaAs and Sb. The effect of Al is also characterized by an increase in the size of nanoinclusions; however, it is associated with diffusion processes during precipitation. Was also analyzed the optical extinction spectra, where a resonance peak with an energy of 2.4 eV was analytically detected. The nature of the shift of the resonance absorption peak is not clear; the explanation of this phenomenon, as well as the influence of As-Sb nanoinclusions on the manifestation of resonance, is an urgent task for future studies.