В данной работе представлено исследование структурных и оптических свойств гетероструктур AlGaAs/GaInP2 с целью оптимизации структуры интерфейса для использования в гибридных структурах с квантовыми точками (КТ) GaAs/AlGaAs и КТ InP/GaInP2 для измерения встроенного магнитного поля InP/GaInP2 КТ. Интерфейсные структуры выращивались с использованием газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений варьируя толщины GaInP2, время остановки роста, температуры роста AlGaAs и добавление промежуточного слоя GaAsP. Используя спектроскопию просвечивающей электронной микроскопии, продемонстрировано, что интерфейсный слой имеет переменную толщину в диапазоне от 2 до 4 нм и области с большей толщиной, имеющие латеральный размер ~10 нм, представляющие собой КТ излучающие в диапазоне 700–800 нм. Используя фотолюминесценцию (ФЛ) и измерения масс-спектрометрии вторичных ионов, продемонстрирована корреляция между положением спектра ФЛ интерфейсных КТ и варьированием ростовых условий. На основе этих исследований было предложено использованием прозрачных барьеров для возбуждающего света (532 нм) и получены структуры, в которых ФЛ интерфейсных КТ подавлена.

This paper presents study of structural and optical properties of AlGaAs/GaInP2 heterostructures to optimization interface structure for use in hybrid structure compose of quantum dots (QD) InP/GaInP2 and QD GaAs/AlGaAs intended for measurement of built-magnetic field in QD InP/GaInP2. Interface structure were grown using metal-organic chemical phase epitaxy by using different GaInP2 thickness, growth pause, growth temperature AlGaAs and addition of an intermediate GaAsP. Using transmission electron microscopy spectroscopy, was demonstrated that interface layer are quantum well of varying thickness (2-3 nm) with built-in QDs of different sizes (thickness ~4 nm, lateral size ~10 nm) emitting in wavelength range 700-800 nm. Using photoluminescence (PL) with secondary-ion mass spectrometry was demonstrate correlation between position of PL interface and variation of growing condition. Based on interface research was growth optimization structure of interface with using transparent barriers for light (532 nm) which demonstrate quenching of PL of QD interface.