Details

Title: Гетероструктуры (Ca,Mg)F2 на кремнии для создания элементной базы двумерной наноэлектроники: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника»
Creators: Иванов Илья Андреевич
Scientific adviser: Шалыгин Вадим Александрович
Other creators: Гаврикова Татьяна Андреевна
Organization: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Imprint: Санкт-Петербург, 2021
Collection: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Subjects: молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ); сверхвысокий вакуум (СВВ); 3D дифракция быстрых электронов (ДБЭ) на отражение; атомно-силовая микроскопия (АСМ); двумерная электроника; эпитаксиальные диэлектрики; molecular beam epitaxy (MBE); ultrahigh vacuum (UHV); 3D reflection high-energy electron diffraction (RHEED); atomic force microscopy (AFM); two-dimensional electronics; epitaxial dielectrics
Document type: Bachelor graduation qualification work
File type: PDF
Language: Russian
Level of education: Bachelor
Speciality code (FGOS): 16.03.01
Speciality group (FGOS): 160000 - Физико-технические науки и технологии
Links: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3687
Rights: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Record key: ru\spstu\vkr\12256

Allowed Actions:

Action 'Read' will be available if you login or access site from another network Action 'Download' will be available if you login or access site from another network

Group: Anonymous

Network: Internet

Annotation

Данная работа посвящена выращиванию методом МЛЭ тонких слоев твердого раствора MgxCa1-xF2 толщиной 12 нм с параметром смешивания x = 0, 0.05, 0.10, 0.15 на подложках Si(111) и исследованию их кристаллической структуры и топографии методами 3D ДБЭ и АСМ. Также был рассмотрен потенциал использования CaF2 совместно с MgF2 в двумерной наноэлектринике.

This work is devoted to the MBE growth of thin layers of the MgxCa1-xF2 solid solution 12 nm thick with the mixing parameter x = 0, 0.05, 0.10, 0.15 on Si (111) substrates and the study of their crystal structure and topography by the 3D RHEED and AFM methods. The potential of using CaF2 together with MgF2 in two- dimensional nanoelectrics was also considered.

Document access rights

Network User group Action
ILC SPbPU Local Network All Read Print Download
Internet Authorized users SPbPU Read Print Download
-> Internet Anonymous

Usage statistics

stat Access count: 8
Last 30 days: 1
Detailed usage statistics