Иванов, Илья Андреевич. Гетероструктуры (Ca,Mg)F2 на кремнии для создания элементной базы двумерной наноэлектроники: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_11 «Физика полупроводников и наноэлектроника» = Heterostructures (Ca,Mg)F2 on silicon for creating an element base for two-dimensional nanoelectronics / И. А. Иванов; Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций; научный руководитель В. А. Шалыгин; консультант по нормоконтролю Т. А. Гаврикова. — Санкт-Петербург, 2021. — 1 файл (2,9 Мб). — Загл. с титул. экрана. — Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование). — Adobe Acrobat Reader 7.0. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/vr21-3687.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-3687-o.pdf>. — <URL:http://elib.spbstu.ru/dl/3/2021/vr/rev/vr21-3687-a.pdf>. — DOI 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-3687. — Текст