Данная работа посвящена исследованию картин дальнего поля полупроводниковых микролазеров с резонатором, реализующим моды шепчущей галереи. Такие микролазеры могут быть использованы в качестве биосенсоров с высокой чувствительностью и компактных источников излучения для оптической передачи данных между чипами и внутри чипа. Исследуемые структуры характеризуются компактным размером, простым процессом изготовления и высоким значением добротности резонатора. Однако в процессе создания микролазеров на боковой поверхности резонатора возникают неоднородности травления полупроводника, которые могут повлиять на картину дальнего поля излучения. В работе проведен поиск и анализ публикаций на тему исследований дальнего поля излучения микролазеров. Измерены спектры электролюминесценции для различных угловых направлений при различном токе накачки и построены картины дальнего поля. Показано, что неоднородности травления приводят неоднородностям диаграммы направленности лазерного излучения, но не оказывают существенного влияния на угловое распределение спонтанного изучения активной области. Результаты исследования направлены на получение новых знаний о физике микролазеров и факторов, влияющих на картину дальнего поля.

The given work is devoted to studying far field of semiconductor microlasers with whispering gallery modes resonator. Such lasers can be implemented in highresponsive biosensors or compact emission sources for optical transmission microchips. Investigated structures are known for small sizes, easy manufacturing and high Q-factor. However, the problem of heterogeneous semiconductor etching arises when a microlaser is being made. It is a probable cause of far-field image distortion. In the work, the analysis of other studies and publications devoted to the topic is provided. Electroluminescence spectrums for different angular directions are measured for different pump currents and far-field images are taken. Uneven etching is shown to result in heterogeneous lasing emission picture; however, there is no significant change in spontaneous emission. The results of the given research are devoted to obtaining new knowledge of microlasers physics and different factors responsible for far-field emission picture.