В спектрах ФЛ гетероперехода GaAs/AlGaAs выделена H-полоса, связанная с рекомбинацией носителей заряда вблизи гетероинтерфейса. Ее положение смещается в длинноволновую область при приложении запорного напряжения к структуре. Определено время спиновой памяти на H-полосе в зависимости от величины приложенного поперечного напряжения. Время жизни электрона и время его спиновой релаксации растет при увеличении запорного напряжения вследствие увеличения пространственного разделения электронов и дырок и уменьшения их обменного взаимодействия.

The H-band is distinguished in the spectra of the photoluminescence of the GaAs/AlGaAs heterojunction which is associated with carriers recombination near the heterointerface. The H-band position is shifted to long-wave region with applied reverse voltage. The spin memory time on the H-band is found as a function of the applied voltage. The electron spin relaxation time and life time rise with increasing voltage due to increasing electron and hole spatial separation and decreasing exchange interaction.

• ВВЕДЕНИЕ
• ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
  • Гетеропереходы
  • Оптическая ориентация в GaAs
  • H-полоса фотолюминесценции одиночного GaAs/AlGaAs гетероперехода
• ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
• МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
  • Описание образца
  • Экспериментальная установка
• РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
• ЗАКЛЮЧЕНИЕ
• СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ