Детальная информация

Название: Исследование оптических и электрофизических свойств InGaN/GaN наноразмерных мезаструктур для создания высокоэффективных светодиодов: выпускная квалификационная работа магистра: направление 16.04.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.04.01_04 «Физика и электроника аналитических приборов и систем»
Авторы: Мензелинцев Александр Константинович
Научный руководитель: Сошников Илья Петрович; Бурковский Роман Георгиевич
Другие авторы: Давыдов Сергей Николаевич; Котляр Константин Павлович
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: Наноструктурные материалы; наноразмерные мезаструктуры; пассивация боковой поверхности жидкостное; химическое травление
УДК: 620.22-022.53
Тип документа: Выпускная квалификационная работа магистра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.04.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Рецензия; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4021
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

Представленная работа посвящена исследованиям процессов формирования массива наноразмерных InGaN/GaN мезаструктур и исследованию их оптоэлектронных свойств. В ходе работы были сформированы массивы наноразмерных мезаструктур InGaN/GaN высотой 300 нм и средним диаметром от 150 нм при плотности массива (108-109 см-2) и исследованы их оптоэлектронные свойства. Разработана методика пассивации боковой поверхности наноразмерных мезаструктур InGaN/GaN посредством жидкостного-химического травления в горячем растворе KOH:H2O. Увеличение интенсивности фотолюминесценции структур после пассивации составляет в 2,5 раза относительно исходной планарной структуры. Разработана методика изменения формы наноразмерных мезаструктур от трапециевидной (угол наклона боковой поверхности 80°) до карандашевидной посредством жидкостного-химического травления. Моделирование оптических свойств показало, что управление формой наноразмерной мезы определяет параметры вывода света из неё, например при диаметрах порядка 150 нм для цилиндрической геометрии реализуется одномодовый режим генерации излучения. Полученные результаты могут быть использованы в различных приложениях, в том числе для создания высокоэффективных светоизлучателей.

The given work is devoted to studying of the formation of an array of InGaN / GaN nanorods and the study of their optoelectronic properties. During the research, arrays of nano-sized InGaN / GaN mesa structures with a height of 300 nm and an average diameter of 150 nm were formed at an array density (108 - 109 cm -2 ) and their optoelectronic properties were investigated. A technique has been developed for the passivation of the lateral surface of InGaN/GaN nanorod structures by wet chemical etching in a hot KOH:H2O solution. The increase photoluminescence intensity of the structures after passivation is 2.5 times relative to the initial planar structure. Changing the shape technique of nanorod structures from trapezoidal (angle of inclination of the lateral surface 80°) to pencil-like by means of liquid-chemical etching has been developed. Modeling of the optical properties showed that the control of the shape of nanorod determines the parameters of extraction from it, for example, at diameters of the order of 150 nm, a single-mode generation mode is realized for its cylindrical geometry. The results obtained can be used in various applications, including for the creation of highly efficient light emitters.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 0
Подробная статистика