Данная работа посвящена изучению особенностей роста буферных слоев в III-N структурах и влиянию ростовой геометрии (расстоянию источник-подложка и углу между осью источника и вертикальной оси) на однородность осаждения. Задачи, которые решались в ходе работы: 1. Изучение особенностей роста III-N структур методами молекулярно-лучевой эпитаксии; 2. Исследование роли буферных слоев в приборах на основе данных соединений; 3. Исследование влияния ростовой геометрии на однородность слоев, получаемых методами молекулярно-лучевой эпитаксии; 4. Оптимизация ростовой геометрии на основании теоретического ожидания. Работа проведена на базе Прикладной лаборатории ЗАО «НТО». В результате были проанализированы геометрические факторы роста структур, теоретически смоделирован математический аппарат расчета профиля распределения осаждаемого слоя по подложке и получаемой однородности. На основании проведенных расчетов была оптимизирована ростовая геометрия данной лабораторной установки.

The current work is dedicated to the study of the growth conditions of buffer layers within III-N structures and the influence of the source-substrate distance on the uniformity of epitaxial layers. The following goals were set for this research: 1. Study of the unique features of group III nitrides by MBE methods; 2. Study of the role of buffer layers in devices based on III-N; 3. Study of the influence of the growth geometry on the uniformity of the deposited layers; 4. Growth geometry optimization based on theoretical expectations. The work was carried out at the “SemiTEq” Application laboratory. As a result, the geometrical factors of the growth have been analyzed, the mathematical apparatus for calculating the profile of the distribution of the thickness of grown layers over the substrate and the resulting uniformity has been developed. The growth geometry of the laboratory set-up has been optimized based on the calculations performed.