Детальная информация

Название: Моделирование падения молекул фуллерена на поверхность кремния: выпускная квалификационная работа бакалавра: направление 16.03.01 «Техническая физика» ; образовательная программа 16.03.01_10 «Физическая и биомедицинская электроника»
Авторы: Скрипов Игорь Николаевич
Научный руководитель: Карасев Платон Александрович
Другие авторы: Давыдов Сергей Николаевич
Организация: Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого. Институт физики, нанотехнологий и телекоммуникаций
Выходные сведения: Санкт-Петербург, 2021
Коллекция: Выпускные квалификационные работы; Общая коллекция
Тематика: углеродные плёнки; фуллерены; молекула; молекулярная динамика; LAMMPS; кремний; карбид кремния; метод вороного-дирихле; компьютерное моделирование; carbon films; fullerenes; molecule; molecular dynamics; silicon; silicon carbide; voronoi-dirichlet method; modeling
Тип документа: Выпускная квалификационная работа бакалавра
Тип файла: PDF
Язык: Русский
Код специальности ФГОС: 16.03.01
Группа специальностей ФГОС: 160000 - Физико-технические науки и технологии
Ссылки: Отзыв руководителя; Отчет о проверке на объем и корректность внешних заимствований
DOI: 10.18720/SPBPU/3/2021/vr/vr21-4593
Права доступа: Доступ по паролю из сети Интернет (чтение, печать, копирование)
Дополнительно: Новинка

Разрешенные действия:

Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети

Группа: Анонимные пользователи

Сеть: Интернет

Аннотация

В данной работе описано моделирование падения молекул фуллерена С60 на чистую поверхность бездефектного монокристаллического кремния (100) методом молекулярной динамики в среде «LAMMPS». Составлена и разработана модель исследуемых структур кремния и фуллерена, выполнена оптимизация и ускорение процессов расчета, смоделированы случаи по начальным энергиям С60: 30 эВ, 100 эВ, 250 эВ, 1 кэВ, 2 кэВ. По результатам работы был проведен анализ конечной кристаллической структуры кремния методом Вороного-Дирихле, а также образовавшихся углеродных пленок и связей SiC (карбида кремния) на поверхности и внутри объема кристалла.

This work describes the simulation of the fall of C60 fullerene molecules onto a clean surface of defect-free monocrystalline silicon (100) by the molecular dynamics method in a LAMMPS. A model of the investigated structures of silicon and fullerene was compiled and developed, the optimization and acceleration of the calculation processes were performed, the cases were modeled for the initial energies of C60: 30 eV, 100 eV, 250 eV, 1 keV, 2 keV. Based on the results of the work, the final crystal structure of silicon was analyzed by the Voronoi-Dirichlet method, as well as the formed carbon films and SiC (silicon carbide) bonds on the surface and inside the volume of the crystal.

Права на использование объекта хранения

Место доступа Группа пользователей Действие
Локальная сеть ИБК СПбПУ Все Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи СПбПУ Прочитать Печать Загрузить
Интернет Авторизованные пользователи (не СПбПУ)
-> Интернет Анонимные пользователи

Статистика использования

stat Количество обращений: 1
За последние 30 дней: 1
Подробная статистика