Таблица | Карточка | RUSMARC | |
Разрешенные действия: –
Действие 'Прочитать' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Действие 'Загрузить' будет доступно, если вы выполните вход в систему или будете работать с сайтом на компьютере в другой сети
Группа: Анонимные пользователи Сеть: Интернет |
Аннотация
В рамках данной работы был разработана методика косвенного определения температуры ростовой поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии. Детальны анализ температур реконструкционных переходов, исследованных при различных условиях МПЭ на поверхности GaAs in situ методом дифракции быстрых электронов на отражение, а также температур, определяемых с помощью термопары и ИК-пирометра, показывает, что разница между реальными (TS) и измеряемыми (TTC, TPIR) значениями температур для подложек GaAs(001) и GaAs(111)B может достигать ~100–120°С. В работе описывается набор реперных точек, которые могут быть использованы при создании калибровочных зависимостей TTC/TPIR и TS как функции мощности РТС нагревателя. Исследование реконструкционных переходов на поверхности полуизолирующей подложки GaAs(111)B позволило определить, что температура реконструкционного перехода между состояниями (2×2) и (√19×√19)R23.4° находится в диапазоне ТS = 540–550°С при динамическом режиме спуска температуры подложки со скоростью 15 °C/мин и потоке As РВЕР = 10-5 Па.
This thesis is devoted to developing of a method of the indirect temperature determination during the MBE growth. A detailed analysis of reconstruction transitions studied under various MBE conditions on the GaAs surface by reflection high-energy electron diffraction (RHEED) technique, as well as the MBE temperatures determined using a thermocouple and an IR pyrometer, shows that the difference between the real (TS) and measured (TTC, TPIR) temperature scan reach ~100–120°C for GaAs(001) and GaAs(111) B substrates. The developed method describes a set of reference points that can be used to create the calibration curves TTC/TPIR and TS as a function of the PTC heater power. The study of reconstruction transitions on the surface of a undoped GaAs(111)B substrate made it possible to determine that the temperature of the reconstruction transition between the (2×2) and (√19×√19)R23.4° states is in the range ТS = 540–550°С at the dynamic mode of decreasing the substrate temperature at a rate of 15°C/min and a As flux of РВЕР = 10-5 Pa.
Права на использование объекта хранения
Место доступа | Группа пользователей | Действие | ||||
---|---|---|---|---|---|---|
Локальная сеть ИБК СПбПУ | Все | |||||
Интернет | Авторизованные пользователи СПбПУ | |||||
Интернет | Анонимные пользователи |
Статистика использования
Количество обращений: 18
За последние 30 дней: 0 Подробная статистика |